SEM掃描電鏡（Scanning Electron Microscope）與透射電鏡（Transmission Electron Microscope，TEM）在顯微成像領域都具有重要地位，但它們在多個方面存在顯著差異。以下是對兩者區(qū)別的詳細介紹：

一、使用目的與成像原理

SEM掃描電鏡：

使用目的：主要用于觀察樣品表面的結構特征，具有高分辨率、表面顯微形態(tài)和形貌的非破壞性檢測能力。

成像原理：利用高能電子束轟擊樣品表面，激發(fā)出次級電子和背散射電子等信號，這些信號被探測器捕獲并轉換成圖像。SEM的成像依賴于表面信號，因此特別適合觀察樣品的表面結構和形貌。

TEM透射電鏡：

使用目的：主要用于觀察樣品的內部精細結構，如晶體結構、形態(tài)和應力狀態(tài)等，是材料科學和納米技術等領域的重要研究工具。

成像原理：利用高能電子束穿透樣品，通過電子在樣品中的透射和散射來形成圖像。TEM的成像依賴于電子在樣品內部的傳播和衍射過程。

二、分辨率與放大倍數(shù)

SEM掃描電鏡：

分辨率通常在0.5~5nm之間，具體取決于電子束的聚焦能力和樣品表面的耗材程度。

放大倍數(shù)范圍寬，從十幾倍到幾十萬倍不等，幾乎包括了從放大鏡到光學顯微鏡的放大范圍。

TEM透射電鏡：

分辨率非常高，Z高可達到0.05nm以下，是SEM的數(shù)十倍甚至更多。

放大倍數(shù)也更高，通常可以達到幾萬到幾十萬倍，甚至更高。

三、樣品制備與要求

SEM掃描電鏡：

樣品制備相對簡單，通常不需要將樣品切成薄片。

樣品尺寸可大至一定范圍（如120mm×80mm×50mm），且可以在樣品室中作三度空間的平移和旋轉，便于從各種角度觀察。

對于某些導電性差的樣品，可能需要鍍上一層導電材料以防止電荷積累。

TEM透射電鏡：

樣品制備復雜得多，通常需要將樣品切成非常薄的切片（通常小于100納米），以便電子束能夠穿透。

這通常需要使用超薄切片技術或離子束切割技術。

樣品可能還需要進行特殊處理，如染色或冷凍，以提高對比度和穩(wěn)定性。

四、應用領域與優(yōu)勢

SEM掃描電鏡：

廣泛應用于材料科學、生物科學中的表面形貌分析、微觀結構成像等方面。

具有景深大、成像直觀、立體感強等優(yōu)點。

可同時獲得形貌、結構、成分和結晶學信息。

TEM透射電鏡：

主要用于物質的內部結構和成分分析等方面。

在材料科學、物理化學、生物學等學科中發(fā)揮重要作用。

能夠提供樣品的晶體結構、相變和缺陷等詳細信息。

綜上所述，SEM掃描電鏡與透射電鏡在多個方面存在顯著差異。SEM更適合觀察樣品的表面結構和形貌，而TEM則擅長于觀察樣品的內部精細結構。在選擇使用哪種電鏡時，應根據(jù)具體的研究需求和樣品特點進行綜合考慮。