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SEM掃描電鏡的基本影響要素(二)

日期:2022-05-13 08:59:13 瀏覽次數(shù):164

上一篇文章介紹了影響掃描電鏡的基本影響要素一:分辨率,下面臺(tái)式掃描電鏡的小編介紹其他3個(gè)影響要素。

 

1,放大倍數(shù)

SEM掃描電鏡的放大倍數(shù)可表示為M =Ac/As式中,Ac—熒光屏上圖像的邊長(zhǎng);As—電子束在樣品上的掃描振幅。一般地,Ac 是固定的(通常為100 mm),則可通過改變As 來改變放大倍數(shù)。

目前,大多數(shù)掃描電鏡放大倍數(shù)為20~20,000倍,介于光學(xué)顯微鏡和透射電鏡之間,即SEM掃描電鏡彌補(bǔ)了光學(xué)顯微鏡和透射電鏡放大倍數(shù)的空擋。


掃描電鏡下的硅藻.png


2,景深

景深是指焦點(diǎn)前后的一個(gè)距離范圍,該范圍內(nèi)所有物點(diǎn)所成的圖像符合分辨率要求,可以成清晰的圖像;也即,景深是可以被看清的距離范圍。

掃描電鏡的景深比透射電子顯微鏡大10倍,比光學(xué)顯微鏡大幾百倍。由于圖像景深大,所得掃描電子像富有立體感。


3,襯度

襯度包括:表面形貌襯度和原子序數(shù)襯度。

表面形貌襯度由試樣表面的不平整性引起。

原子序數(shù)襯度指掃描電子束入射試祥時(shí)產(chǎn)生的背散射電子、吸收電子、X射線,對(duì)微區(qū)內(nèi)原子序數(shù)的差異相當(dāng)敏感。原子序數(shù)越大,圖像越亮。二次電子受原子序數(shù)的影響較小。高分子中各組分之間的平均原子序數(shù)差別不大。所以只有—些特殊的高分子多相體系才能利用這種襯度成像。

 

上述內(nèi)容就是臺(tái)式掃描電鏡的小編介紹的SEM掃描電鏡的基本影響要素二。更多關(guān)于掃描電鏡的其他問題歡迎咨詢小編。

 


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